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NVRAM

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NVRAM 非易失性随机访问存储器 (Non-Volatile Random Access Memory)，是指断电后仍能保持数据的一种RAM。

如果通俗地解释非易失性存储器，那就是指断电之后，所存储的数据不丢失的随机访问存储器。
之所以加如此的定语，是因为：
1.与此对应的随机访问存储器（Random Access Memory，RAM）包含SRAM和DRAM（其又分为SDRAM，DDR SDRAM，DDR2 SDRAM ，RDRAM，Direct RDRAM），断电之后信息就丢失了。其中，DRAM又分为SDRAM（由6个晶体管组成），DDR SDRAM（有一个晶体管组成），DDR2 SDRAM（利用电平脉冲的上升沿和下降沿传输数据，使得数据传输频率相对于普通的DDR SDRAM加倍） ，和采用RSL技术的RDRAM，Direct RDRAM），
2.NVRAM可以随机访问。因此有些解释中，说Flash是属于NVRAM，是不准确的。因为从严格意义上来说，Flash分有两种：nand flash和nor flash。其中的nor属于是可以随机访问的，而nand flash不是真正的随机访问，属于顺序访问（serial access）。

而目前常见的NVRAM，有两种：
1.带有备用电源的SRAM
2.借助NVM（比如E2PROM）存储SRAM的信息并恢复来实现非易失性。

对于我们身边处处可见的U盘，数码相机、可拍照手机、PDA、以及其中的存储卡，如CF、SD等等，内部多数是采用的Nand Flash。
而Nor Flash 对用于嵌入式中少量系统等信息的存储。

对于Nand Flash 和Nor Flash的区别和各自特点，可以参考Linux MTD 官网 http://www.linux-mtd.infradead.org/doc/nand.html 和 NAND和NOR的比较 http://hi.baidu.com/serial_story/blog/item/c669991efe491e1b403417e5.html转自www.118cha.com

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